设备：高温反偏测试系统HTXB GR3-D

厂商：阅芯科技

用途：用于功率半导体器件的环境老化试验，比如 Si/SiC/GaN 材料的 IGBT/DIODE/MOSFET/HEMT/BJT/SCR 等器件的 HTRB 试验。HTRB是在高温下加上反向偏压的工作模式，由于高温下漏电流增加，质量差的器件就会失效，以此评估产品的可靠性。

测试标准：GJB128A-1997 方法 1038 条件A；MIL-STD-750F Method 1038 Test condition A

技术指标：

l  最大工作电压2000V

l  测试温度：-20℃-180℃

l  I_CES检测范围：0-98mA，分辨率0.1μA

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