第三代半导体碳化硅SiC材料作为硅半导体材料的替代品,其能带间隔为硅的2.8倍(宽禁带),达到3.09电子伏特。
其绝缘击穿场强为硅的5.3倍,高达3.2MV/cm.,其导热率是硅的3.3倍,为49w/cm.k。导通电阻比硅器件小100-300倍。
它与一样,可以制成结型器件、场效应器件、和金属与半导体接触的肖特基二极管。碳化硅具有很高的抗辐照能力,能耐受较高的电压,且耐高温。
Part Number | VDC | Package | IF(TC=150℃) | QC |
NF3D06065F | 650V | TO-252-2L | 6A | 15nC |
NF3D10065F | 650V | TO-252-2L | 10A | 23nC |
NF3D10065E | 650V | TO-263-2L | 10A | 23nC |
NF3D06065N | 650V | DFN 5×6 | 6A | 15nC |
NF3D06065G | 650V | DFN 8×8 | 10A | 15nC |
NF3D10065G | 650V | DFN 8×8 | 10A | 23nC |
NF3D06065A | 650V | TO220-2 | 6A | 15nC |
NF3D06065AF | 650V | TO-220F | 6A | 23nC |
NF3D08065A | 650V | TO220-2 | 8A | 23nC |
NF3D10065A | 650V | TO220-2 | 10A | 23nC |
NF3D10065AI | 650V | TO220(内绝缘) | 10A | 36nC |
NF3D10065H | 650V | TO-247-2 | 10A | 23nC |
NF3D15065A | 650V | TO220-2 | 15A | 36nC |
NF3D20065A | 650V | TO220-2 | 20A | 44nC |
NF3D20065H | 650V | TO-247-2 | 20A | 44nC |
NF3D20065D | 650V | TO-247-3 | 20A | 49nC |
NF3D30065H | 650V | TO-247-2 | 30A | 66nC |
NF3D30065D | 650V | TO-247-3 | 30A | 68nC |
NF3D40065H | 650V | TO-247-2 | 40A | 96nC |
NF3D42090H | 900V | TO-247-2 | 42A | 145nC |
NF3D02120F | 1200V | TO-252-2L | 2A | 14nC |
NF3D05120A | 1200V | TO-220 | 5A | 37nC |
NF3D08120A | 1200V | TO-220 | 8A | 53nC |
NF3D10120A | 1200V | TO-220 | 10A | 61nC |
NF3D20120A | 1200V | TO-220 | 20A | 126nC |
NF3D20120H | 1200V | TO-247-2 | 20A | 93nC |
NF3D20120D | 1200V | TO-247-3 | 20A | 122nC |
NF3D30120H | 1200V | TO-247-2 | 30A | 155nC |
NF3D40120H | 1200V | TO-247-2 | 40A | 212nC |
NF3D50120H | 1200V | TO-247-2 | 50A | 310nC |
NF3D10170H | 1700V | TO-247-2 | 10A | 106nC |
NF3D20170H | 1700V | TO-247-2 | 25A(20A共用) | 202nC |
两种二极管都是单向导电,可用于整流场合。区别是普通硅二极管的耐压可以做得较高,但是它的恢复速度低,只能用在低频的整流上,如果是高频的就会因为无法快速恢复而发生反向漏电,最后导致管子严重发热烧毁;肖特基二极管的耐压能常较低,但是它的恢复速度快,可以用在高频场合,故开关电源采用此种二极管作为整流输出用,尽管如此,开关电源上的整流管温度还是很高的。
快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管(5us以下),工艺上多采用掺金措施,结构上有采用PN结型结构,有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管(1-2V),反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。
前者反向恢复时间为数百纳秒或更长,后者则在100纳秒以下。 肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管,简称肖特基二极管(Schottky Barrier Diode),具有正向压降低(0.4--0.5V)、反向恢复时间很短(10-40纳秒),而且反向漏电流较大,耐压低,一般低于150V,多用于低电压场合。 这两种管子通常用于开关电源。 肖特基二极管和快恢复二极管区别:前者的恢复时间比后者小一百倍左右,前者的反向恢复时间大约为几纳秒~! 前者的优点还有低功耗,大电流,超高速~!
电气特性当然都是二极管阿~!快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件。
电压规格 |
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