特性:高阻断电压、高频运行、低导通电阻、低反向恢复电荷
优点:并联装置方便,无需热失控、系统效率高、高温应用、系统可靠性更高
优势:低损耗、开关速度更快、高阻断电压
应用:电机驱动器、太阳能/风能逆变器、车载电动汽车充电器、交直流变换器
SiC MOSFET(碳化硅MOSFET)以低导通电阻、低开关损耗、高开关频率、高工作结温等优势称为工业界的"明日之星”
Part Number | Package | RDS (TJ=25℃) Typ | VDc | IDC (TC=25℃) | PD (TJ=25℃) |
NF3M45170K | TO-247-4 | 45mΩ | 1700V | 72A | 520W |
NF3M65017D | TO-247-3 | 650mΩ | 1700V | 7A | 62W |
NF3M50330K | TO-247-4 | 50mΩ | 3300V | 68A | 560W |
碳化硅MOSFET不仅适合于从600V到10kV的广泛电压范围,同时具备单极型器件的卓越开关性能,它在开关电路中不存在电流拖尾的情况,具有更低的开关损耗和更高的工作频率。
适用于光伏、风电、电动汽车及轨道交通等中高功率电力系统的应用上。拥有高压高频和高效率的优势,是目前国内外电动汽车电机领域研发的重点。
电压规格 |
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