设备：高温高湿测试系统HTXB GR3-D

厂商：阅芯科技

用途：要用于功率半导体器件的环境老化试验，比如 Si/SiC/GaN 材料的 IGBT/DIODE/MOSFET/HEMT/BJT/SCR 等器件的 H3TRB 试验。

测试标准：GB/T4937-1995 IV，2 加速稳态湿热；JESD22-A101D Steady-State Temperature Humidity Bias Life Test；GJB 150.9A-2009；GJB 1621.7A-2006；GJB 1060.2-1991

技术指标：

l  最大工作电压2000V

l  测试温度：室温-180℃

l  I_CES检测范围：0-98mA，分辨率0.1μA

l  湿度条件：10%-98%RH，空间均匀性＜5%RH

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